0,1 mikronos áramkörök a Samsungtól

A Samsung Electronics új technológiájával lehetővé vált 0,1 mikronos félvezető áramkörök gyártása. A napjainkban a gyártás során alkalmazott argon-fluoridos gyártástechnológiában fényforrás segítségével alakítják ki a gigabites kapacitású lapkák sorozatgyártásához nélkülözhetetlen apró áramköröket. Azonban a fotoellenállásos technológia nem képes egyszerre maradéktalanul megfelelni a nagy pontosságra és a nyomtatott áramköri ellenállásra vonatkozó követelményeknek. A 0,1 mikronos áramkörök sorozatgyártását nagyban megnehezítette az áramköri mintákat eltorzító utóexpozíciós (PED) tulajdonság. A Samsung által kifejlesztett argon-fluoridos fényellenállásos technológia egyszerre nyújt tökéletes pontosságot, megfelelő nyomtatott áramköri ellenállást és minden eddiginél jobb utóexpozíciós (PED) tulajdonságot. Az eredmények lehetővé teszik az új generációs technológia gyors meghonosítását a sorozatgyártásban. Ezzel megnyílt az út a gigabites lapkák tömeges előállításához.